大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于栅极电流漏极电流的问题，于是小编就整理了3个相关介绍栅极电流漏极电流的解答，让我们一起看看吧。
栅极电流，阳极电流是什么意思？
现在集成电路计算机的前身是晶体管计算机，晶体管计算机的前身是电子管计算机。一般的说，晶体管是电流控制器件，电子管是电压控制器件（类似于场效应管）。电流控制器件就是基极电流可以控制集电极电流，而电子管是栅极电压控制阳极电流，所以称为电压控制器件。电子管计算机中的各单元电路与现在集成电路计算机的对应单元的原理是一样的（例如加法器、计数器、门电路），只是电子管体积大，功耗高，效率低，已经被大规模集成电路取代。
第一代计算机即电子管计算机的特点是操作指令是为特定任务而编制的，每种机器有各自不同的机器语言，功能受到限制，速度也慢。另一个明显特征是使用真空电子管和磁鼓（前期水银延迟线，后期才开发出磁鼓）储存数据。
由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点，存储器采用水银延迟线．在这个时期，没有系统软件，用机器语言和汇编语言编程．计算机只能在少数尖端领域中得到运用，一般用于科学，军事和财务等方面的计算．它的绝大部分用途已经基本被固体器件晶体管所取代。但是电子管负载能力强，线性性能优于晶体管，在高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好，所以仍然在一些地方（如大功率无线电发射设备）继续发挥着不可替代的作用。作为第一代计算机，电子管计算机是承上启下的一类计算机。推动着计算机的发展。
MOS的源极和漏极有什么区别？
1、电流流向不同。 把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。
2、作用不同。 电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。
3、对应电位不同。 但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。
mos管栅极电阻多大阻值？
电阻是15Ω，mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
几百兆
场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件
从mos器件的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：
1) MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。
2) MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。
到此，以上就是小编对于栅极电流漏极电流的问题就介绍到这了，希望介绍关于栅极电流漏极电流的3点解答对大家有用。
